[ 꼭지 ]

논문

산업으로 넘어올 논문만 매달 한 편씩 고릅니다. 측정 조건과 산업 표준의 차이를 환산해 함께 싣습니다.

금주의 논문 4편 · 브리핑 3편 담당 PEER 편집 박원상
정렬
금주의 논문 4
#0004
논문
디스플레이 화소를 조명으로 사용하기

픽셀마다 투명 플로팅게이트 메모리 하나만 얹어, 리프레시 없이 이미지를 유지하는 동시에 조명으로도 쓰는 Micro-LED를 후난대 연구진이 만들었습니다. 꺼진 상태의 소비전력은 픽셀당 1.4피코와트.

Micro-LED플로팅게이트 메모리비휘발성 디스플레이
2026.08.09
8분
#0003
논문
유연 트랜지스터 하나에 센싱·기억·연산을 담다

센싱·메모리·연산을 각각 다른 소자로 만들던 인공시각 시스템을 트랜지스터 하나로 합쳤습니다. 무기-유기 이종 유전체로 이동도(22.65cm²/V·s)와 광응답 속도(30마이크로초)를 유연 기판 위에서 동시에 확보했습니다.

OTFT유연전자소자뉴로모픽
2026.08.03
8분
#0002
논문
레이저로 잡은 산화물 TFT의 안정성과 접촉저항

DGIST·삼성전자 연구진이 텅스텐 게이트에 레이저를 한 번 쬐는 것만으로 산화물 TFT의 안정성(PBS 문턱전압 변화 83% 감소)과 접촉저항(59% 감소)을 동시에 잡았습니다. 커패시터 없는 D램 셀에서 데이터 유지율도 34.8%에서 87.9%로 뛰었습니다.

IGZO TFT레이저 어닐링커패시터리스 D램
2026.08.02
8분
#0001
논문
불소로 잡은 산화물 TFT의 이동도와 안정성

산화물 반도체(IGZO) TFT 채널에 붕소 또는 불소이붕소 이온을 직접 심어, 그동안 트레이드오프였던 이동도와 안정성을 동시에 개선했습니다. 이동도는 12.1→38.6 cm²/V·s, 스트레스 후 문턱전압 변화는 최대 1.74V까지 줄었습니다.

IGZO TFT이온주입산화물 반도체
2026.07.26
8분